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（来源：财联社）
《科创板日报》1月18日讯 尽管HBM自推出到登上半导体产业舞台中心花费了近十年时间，但其迭代技术HBF或将以更快速度实现商业化和普及 。
据韩国经济日报等外媒报道 ，SK海力士正与闪迪合作 ，致力于HBF标准的制定 。该公司计划最早于今年推出HBF1（第一代产品）样品，该产品预计采用16层NAND闪存堆叠而成。
除此之外 ，据“HBM之父”韩国科学技术院（KAIST）教授金正浩透露：“三星电子和闪迪计划最快在2027年底或2028年初将HBF技术应用于英伟达 、AMD和谷歌的实际产品中 。 ”他补充道：“由于在研发HBM的过程中积累了丰富的工艺和设计技术 ，能将这些经验应用于HBF设计中 。因此HBF技术的研发速度会更快。 ”
HBF即高带宽闪存，其结构与堆叠DRAM芯片的HBM类似，是一种通过堆叠NAND闪存而制成的产品 。金正浩认为 ，HBM与HBF就好比书房与图书馆 。前者容量虽小 ，但使用起来方便；后者容量更大，但也意味着延迟更高。
金正浩进一步指出 ，待迭代至HBM6 ，HBF将迎来广泛应用，届时单个基础裸片将集成多组存储堆栈 。他预测 ，2至3年内 ，HBF方案将频繁涌现，到2038年左右 ，HBF市场将超过HBM市场 。
值得注意的是 ，随着AI需求不断加大，如今各存储厂商正纷纷扩充产能。就在昨日 ，美光科技被曝拟以18亿美元从力积电收购其位于中国台湾的一处晶圆厂设施 ，并计划在交易于第二季度完成后分阶段提升DRAM产量。美光预计，该交易将在2027年下半年带来显著的DRAM晶圆产出 。
另有三星电子透露，已将泰勒晶圆厂原规划的每月2万片晶圆提升至每月5万片晶圆 ，初始制造计划最早在今年第二季度启动 。
广发证券认为 ，当前大模型的参数规模已经达到万亿级别，上下文长度普遍超过128K ，HBM的容量已难以满足AI大模型对于内存容量的要求。在研的HBF存储容量有望达到现有HBM的8至16倍 ，有望将GPU的存储容量扩展至4TB，或成为满足AI大模型内存容量要求的最佳方案 。
从投资层面来看 ，该机构判断 ，在针对存储介质优化的数据基础软件领域，相关产品开发厂商既包括大型科技公司 ，也包括独立第三方公司 。在对于数据库有一定技术积累的背景下 ，相关公司均有针对HBF存储介质开发数据基础软件的潜力。随着HBF相关技术的成熟，相应产品在AI推理任务中有望大规模使用 ，从而推动相关数据基础软件的应用 。
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